抵抗膜方式RAM 市場分析
<h3>市場概要</h3><br />
不揮発性メモリである抵抗RAMは、スタティックランダムアクセスメモリとダイナミックランダムアクセスメモリの代替により、市場シェアを掌握することが期待されています。この交換は、大きなストレージ密度や3Dパッキングなどの抵抗ランダムアクセスメモリによってもたらされる多くの利点により可能になり、メモリガジェットの層を1つのチップで調整および整理でき、迅速な情報交換のための高速スイッチング、スイッチングサイクルあたりのエネルギー使用量が少なくて済みます。ReRAMは、携帯電話やMP3プレーヤーなどの他の家電製品で使用されるフラッシュメモリを置き換える可能性を秘めています.
- さらに、多くの地域でウェアラブルやAI対応デバイスなどのセンサー技術の採用が拡大していることから、高速データ転送と高ストレージ密度に対する需要が高まり、抵抗ランダムアクセスメモリ市場が世界的に成長する大きなチャンスや可能性がもたらされています
- これに加えて、モノのインターネットデバイスの世界的なインストールの増加は、世界レベルでの抵抗ランダムアクセスメモリ市場の成長の余地も与えます.
- 抵抗ランダムアクセスメモリの高騰するコストは、この市場の成長にとって重要な課題の1つとなっています。今後数年間での新材料の革新と実装により、コストを削減し、さまざまな業種で抵抗ランダムアクセスメモリの需要が高まると予想されます
<h3>報告書の範囲</h3><br/>
抵抗ランダムアクセスメモリ(ReRAMまたはRRAM)は、誘電体固体材料上の抵抗を変化させる原理で動作する不揮発性ランダムアクセスコンピュータメモリである。抵抗ランダムアクセスメモリは、材料の抵抗をハイ状態とロー状態の間で変化させてメモリ機能を応用するという概念に基づいている。
<h3>主要市場動向</h3><br />
コンシューマエレクトロニクスセグメントにおけるコネクテッドデバイスの需要の高まりは、ReRAM
の需要を刺激しています
- 抵抗RAMは、通常のRAMと比較して高速な計算能力を持ち、読み取り集中型アプリケーションにはるかに優れており、サーバーのストレージクラスのメモリに最適です.
- より高いスイッチング速度は、NANDフラッシュなどの他の不揮発性ストレージ技術に対するRRAMの主な利点を構成する。ReRAMはNANDフラッシュよりもはるかに少ない電力を消費します。そのため、現在、産業用、自動車用、およびモノのインターネット(IoT)アプリケーション用のセンサーデバイスのメモリに最適です。ニューロモルフィックコンピューティングは、ReRAM.
のもう1つの潜在的なアプリケーションです
- 過去数年間で、ウェアラブル、IoT、AIベースのシステムなどのコネクテッドデバイスに対する需要の大幅な増加が見られました。これらのデバイスでは、ストレージ容量を増やすために抵抗RAMが使用されています。さらに、スマートシティとスマートホームの到来に伴い、接続されたデバイスは増加することが必至であり、その結果、強力なメモリ容量のサーバーの需要が高まります
アジア太平洋地域は市場で大きなシェアを占めると予想されています
アジア太平洋地域は、2019年に世界の抵抗ランダムアクセスメモリ市場で強い地位を占めると予想されています。中国、韓国、インドは、アジア太平洋地域の市場の成長を牽引する主要国の一部です。家電および自動車産業の増加により、アジア太平洋地域諸国における抵抗ランダムアクセスメモリの需要が高まっています
- さらに、多くの組織がこの地域にデータセンターを設立しており、抵抗RAM市場の需要も高まります。インド、中国、日本などの発展途上国は、エンタープライズサーバー、データセンター、AI、コネクテッドインフラストラクチャの成長により、この地域の市場の成長を牽引するでしょう
<h3>競争環境</h3><br />
抵抗RAM市場は中程度の競争が激しく、いくつかの主要プレーヤーで構成されています。市場シェアの面では、現在市場を支配している主要プレーヤーはほとんどありません。これらの主要企業は、生産能力の拡大に注力しており、市場シェアを拡大し、収益性を高めるために戦略的協力イニシアチブを活用しています。競争、急速な技術進歩、消費者の嗜好の頻繁な変化は、予測期間中の企業の市場成長に脅威をもたらすと予想されます
- 2018年5月 - イスラエルのWeebit Nano社は、酸化ケイ素をベースにしたReRAM製品を開発していると発表し、ReRAMチップは機器を改造することなく既存のファブで製造できる。このようなアプローチは、技術がReRAMコストの削減につながる可能性があることを促します.
- 2019年2月 - Crossbar Inc.、Gyrfalcon Technology Inc.、mtes Neural Networks Corporation(mNN)、Robosensing Inc.は、エッジコンピューティング、ゲートウェイ、クラウド、データセンター向けのAIリッチな新機能を可能にする、大幅に加速された省電力AIプラットフォームと標準を提供するAIコンソーシアムを発表しました。この組織は、高度なアクセラレーションハードウェア、抵抗メモリ(ReRAM)、最適化されたニューラルネットワークを組み合わせて、教師なし学習およびイベント認識機能を備えた既製の電力効率の高いソリューションを作成します.
<h3>このレポートを購入する理由:</h3><br />
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抵抗膜方式RAM 調査の場所
北米(米国およびカナダ)、ラテンアメリカ(ブラジル、メキシコ、アルゼンチン、その他のラテンアメリカ)、ヨーロッパ(英国、ドイツ、フランス、イタリア、スペイン、ハンガリー、ベルギー、オランダおよびルクセンブルグ、NORDIC(フィンランド、スウェーデン、ノルウェー) 、デンマーク)、アイルランド、スイス、オーストリア、ポーランド、トルコ、ロシア、その他のヨーロッパ)、ポーランド、トルコ、ロシア、その他のヨーロッパ)、アジア太平洋(中国、インド、日本、韓国、シンガポール、インドネシア、マレーシア) 、オーストラリア、ニュージーランド、その他のアジア太平洋地域)、中東およびアフリカ(イスラエル、GCC(サウジアラビア、UAE、バーレーン、クウェート、カタール、オマーン)、北アフリカ、南アフリカ、その他の中東およびアフリカ)