不揮発性メモリ市場:成長、動向、予測(2020~2025年)

不揮発性メモリ市場分析

市場概要

不揮発性メモリ市場は、2019年に596億2100万米ドルと評価され、2020年から2025年の予測期間にわたって9.8%のCAGRで、2025年までに1044億7600  万米ドルに達すると予想されています。効率の向上、メモリアクセスの高速化、低消費電力に対する需要の高まりは、NVM市場の成長を牽引している主な要因の一部です。また、低価格と消費電力による家電製品へのフラッシュメモリの採用は、市場の増加要因と見なされています

●また、MRAMは、その運用を検討する様々なプレイヤーからの大きな革新を目の当たりにしています。例えば、Hprobeは、垂直磁場下でSTT磁気トンネル接合部の超高速(<1秒)試験のための新技術を開発しました.<br /> - 新興のメモリ技術は、デジタルカメラ、携帯電話、ノートブックなどを含む一般的な家庭用電子機器で使用される高価なシリコンチップよりも低コストでより多くのデータを保存できるようにすることで、進出の可能性をもたらします
- これらの消費者製品の需要は増加しており、主要プレーヤーがイノベーションと研究開発に積極的に投資することで市場をさらに牽引しています
- さらに、技術革新の高コストとともに企業に採用されているソフトウェアとハードウェアの高コストに対する懸念は、世界的な不揮発性メモリの成長を抑制しています.

レポートの範囲

不揮発性メモリは、電源を切ってもその上に記憶された情報を保持できるコンピュータメモリの一種である。フラッシュメモリ、SRAM、EPROM、EEPROM などのメモリの種類は従来の不揮発性メモリの下で考慮され、MRAM、FRAM、ReRAM、3D-X point、およびnano RAMは次世代の不揮発性メモリの下で考慮されます

主な市場動向

MRAMが重要な株式を保有< />
- 組み込みMRAMの勢いが高まっています。GlobalFoundries、Samsung、TSMC、UMCなどの企業は、28nm/22nmでファウンドリの顧客向けに組み込みMRAMを開発しています。組み込みMRAMはSRAMベースのキャッシュ機能の一部を引き受けることができ、それによってスペースとコストを節約できます。MRAM 自体は、これらのデバイスの電力節約を提供できます
- MRAM と ReRAM の両方に、読み取りとデータ保持の仕様が似ています。しかし、MRAMはReRAMと比較して高い温度仕様を持ち、MRAMに自動車などのアプリケーションで優位性を与えています
- 2018年8月、STT-MRAMの開発会社Avalanche Technologyは、世界的な半導体ファウンドリである台湾のユナイテッド・マイクロエレクトロニクス・コーポレーション(UMC)と共同開発・生産契約を締結したと発表した。
- UMCはUMCの28nm CMOS製造プロセスに基づく組み込み不揮発性STT-MRAMブロックを提供し、モノのインターネット、ウェアラブル、コンシューマ、産業、自動車エレクトロニクス分野をターゲットにして、低レイテンシ、超高性能、低消費電力の組み込みMRAMメモリブロックをMCUおよびSoCに統合できるようにします

北米は重要なシェアを保有< />
- 北米は技術に多くの投資を経験しています。この地域では、RAM、DRAM、PCM メモリなどのさまざまなテクノロジの採用率も高くなっています。
- この成長は、この地域の他のデバイスの中でも、携帯電話やラップトップの使用の増加に起因する可能性があります.
- この地域のBYODなどの多くのトレンドも、同社にとって潜在的な市場になる可能性があります。500米ドルの価格帯のラップトップの数が増えました。これにより、市場で入手可能な代替品の数が増加し、これらのデバイスの販売がますます促進されています
- この地域はまた、最も早く、最も速いクラウド導入者の1つです。シスコによると、2021 年までに、組織のデータの 94% がクラウド上にあると予想されています。同社はまた、クラウドワークロードが2021年末までにほぼ3倍になると予想されていると報告しています。その理由の一部は、データ処理技術の進歩です。データセンターの成長が進むにつれて、次世代の不揮発性メモリの採用も増加し、これは調査した市場の成長をさらに反映する予定

競争環境

不揮発性メモリ市場は、市場が非常に競争が激しく、いくつかの主要なプレーヤーで構成されているため、非常に細分化されています。この業界における競争上の競争は、主にイノベーション、市場浸透のレベル、および競争戦略の力による持続可能な競争上の優位性に依存しています。市場は資本集約的であるため、出口への障壁も高い。

- 2019年9月 - サムスン電子は新しいSSD、30.72TB PCI Express(PCIe)第4世代不揮発性メモリエクスプレス(NVMe)SSDシリーズを発売しました。新しいSSDにより、サーバーとデータセンターはコストを節約できます
- 2019年7月 - 富士通セミコンダクターは、ウェアラブル機器に適した8Mbit ReRAM MB85AS8MTを発売。パナソニックセミコンダクターソリューションズ株式会社と共同開発。MB85AS8MTは、1.6V~3.6Vの幅広い電源電圧で動作するSPIインタフェースを備えたEEPROM互換の不揮発性メモリです。このメモリの大きな特徴の1つは、5MHzの動作周波数で0.15mAの読取り動作に対して、平均電流が極めて小さいことです。これにより、データ読み取り操作が頻繁に行われるバッテリ駆動アプリケーションに実装した場合のバッテリ消費を最小限に抑えることができます。

このレポートを購入する理由:

- エクセル形式の市場予測(ME)シート
- クライアントの要件に従ってカスタマイズを報告
- 3ヶ月のアナリストサポート