次世代メモリ市場:成長、動向、予測(2020~2025年)

次世代メモリ市場分析

<h3>市場概要</h3><br />
世界の次世代メモリ市場は、2019年に3億19775万米ドルと評価され、2025 年までに12482.98 百万米ドルの価値に達し、2020年から2025年の予測期間中に29.7%のCAGRを記録すると予想されています。 MRAM、STT-RAM、FRAM、相変化メモリ(PCM)、ReRAMなどの新しい不揮発性メモリ技術は、SRAMの速度、DRAMの密度、フラッシュメモリの不揮発性を組み合わせています。したがって、これらは将来のメモリ技術への可能な追加です。さらに、次世代インフォテインメントシステムとADASの採用は、はるかに高性能で低消費電力の機能を持つDRAMメモリ技術を融合させるでしょう

- ユニバーサルメモリデバイスの需要が市場を牽引しています。新しい記憶技術のほとんどは、階層のメンバーの1つをより良い技術に置き換えるために普遍的な記憶になることを目指しています。ハイエンドのラップトップは、巨大な機械式ハードディスクの代わりにソリッドステートフラッシュチップを使用し、テープドライブではなくクラウドをバックアップに使用しています。最近、インテルは、ユニバーサルメモリに近い3D XPointテクノロジーを使用するOptaneを発表しました。これは主に、RAMとして機能するのに十分な速さの不揮発性メモリを備えたフラッシュドライブです.
- エンタープライズ・ストレージ・アプリケーションに対する需要の高まりが市場を牽引しています。BFSIなどのエンドユーザー業界は、IoTテクノロジーに多額の投資を行い、大きな金銭的報酬を得ています。例えば、組込みMRAMはIoTなどのアプリケーションにとって有望な技術として考えられています。また、3D Xpointなどの他の次世代メモリは、現在のSSDの1000倍の転送速度を提供します。したがって、これは市場を効率的に推進します
- 極端な環境条件下での安定性の欠如が市場を抑制しています。メモリデバイスの耐久性と信頼性の面で極端な環境条件の影響を大きく受けます。たとえば、メモリデバイスがさらされる熱ストレスが多いほど、メモリデバイスを損傷するリスクが高くなり、市場の成長が難しくなります。

<h3>報告書の範囲</h3><br/>
次世代メモリは、ハードウェアまたはソフトウェア製品のメジャーアップグレードに適用される共通のラベルとして定義できます。次世代メモリ市場は、より高速で効率的で費用対効果の高いメモリソリューションに対する需要の高まりにより、ここ数年で成長しました。機械学習を含む新興のビッグデータおよび人工知能(AI)アプリケーションは、多くの業界でイノベーションを推進しており、これはBFSI、Consumer Electronicsなどのさまざまなエンドユーザーの新しいメモリ技術に付随しています

<h3>主要市場動向</h3><br />
次世代ストレージ・テクノロジーを大幅に採用する情報テクノロジー

- 企業の規模が拡大するにつれて、ITセクターの多くの企業がエンタープライズストレージテクノロジーの使用を採用しています。この採用は、組織のコンピューティング能力を処理する次世代ストレージの需要を牽引する責任があります.
- 今日、多くのクライアントデバイスがソリッドステートストレージ技術を使用していますが、ハードディスクドライブ(HDD)は依然として数億人、そして世界中のほぼすべてのデータセンターで使用されています。熱アシスト磁気記録(HAMR)技術は、今後数年間でHDDの容量を大幅に増加させることを約束します.
- HDDメディアは依然としてストレージ業界でトップセラーですが、フラッシュ/ SSDの採用はここ数年から急速に増加しています。急速なデータ増加により、この分野では多額のメディア投資が行われています。SSDメモリストレージ技術の採用が徐々に高まるにつれて、費用対効果の高いメモリ技術の必要性がそれと絡み合ってき
- 例えば、Fadu Technologyはフラッシュストレージ技術の進歩に焦点を当てたスタートアップです。ソリッドステートドライブ(SSD)コントローラに新しいアーキテクチャを導入することで、Fadu TechnologyはFlash Memory Summit 2019.
でエンタープライズおよびハイパースケールデータセンターに課せられた要求を満たすことで、SSDストレージの新時代を先導します。 - これらの最新のメモリデバイスは、既存の使用技術と比較して、より良いアーキテクチャも提供します。MRAMなどのテクノロジーは、データセンターに効率性を提供する優れたアーキテクチャを持つことが期待されており、情報テクノロジーセグメントの市場成長を牽引します

北米は主要シェアを占める

北米地域は、次世代の技術とインフラの早期導入国の1つです。IT産業は、米国の経済を大きく牽引しています。業界全体で急速に変化するテクノロジーと高いデータ生成により、より効率的な処理システムの必要性が高まっています。これらは、この地域の次世代メモリ市場の需要を牽引する要因の一部です
さらに、米国政府はデータセンター最適化イニシアチブ(DCOI)を開始し、国内の多くのデータセンターを統合することにより、納税者への投資収益率を高めながら、より良いサービスを一般市民に提供しました。統合プロセスには、ハイパースケール・データ・センターを構築し、パフォーマンスの低いデータ・センターをシャットダウンするプロセスが含まれます。今日まで、政府は国内の3215以上のデータセンターを閉鎖しました.
●また、北米のメモリ製造会社は生産拡大の機会を模索している。たとえば、インテルはアリゾナ州で次世代のメモリおよびストレージソリューションを製造するための新しい製造工場のフェーズをすでに開始しています。このプロジェクトでは、総費用70億米ドルのうち、投資の第1段階として10億ドルを支出<> - さらに、2019年3月、Cyxtera Technologiesはシリコンバレー、フェニックス、アトランタ、ニューヨークメトロ、トロントのデータセンター施設を拡張し、これらの市場の総容量は150万平方フィート以上に増加し、企業全体のフットプリントは290万平方フィート以上

<h3>競争環境</h3><br />
次世代メモリ市場は、市場が非常に競争が激しく、いくつかの主要なプレーヤーで構成されているため、非常に細分化されています。この業界における競争上の競争は、主にイノベーション、市場浸透のレベル、および競争戦略の力による持続可能な競争上の優位性に依存しています。市場は資本集約的であるため、出口への障壁も高い。市場の主要プレーヤーのいくつかは、インテル株式会社、東芝株式会社、富士通株式会社などです。市場における最近の主要な動向のいくつかは、-

- 2019年8月 - サムスンは、新しい回路設計技術を使用して、100のアクティブ層を備えた第6世代V-NANDメモリを発表しました。これは、サムスンの前世代のV-NAND製品と比較して、レイテンシが10%低く、消費電力が15%低いことを特長としています。また、このV-NANDは、従来製品よりも消費電力が低いことを特長としています

- 2019年7月 - 富士通セミコンダクターは、量産品として世界最大密度とされる8Mbit ReRAM MB85AS8MTを発売したと発表した このReRAM製品は、パナソニックセミコンダクターソリューションズ株式会社と共同開発したものです。MB85AS8MTは、1.6V~3.6Vの幅広い電源電圧で動作するSPIインタフェースを備えたEEPROM互換の不揮発性メモリです。このメモリの大きな特徴の1つは、5MHzの動作周波数で0.15mAの読取り動作に対して、平均電流が極めて小さいことです。これにより、データ読み取り操作が頻繁に行われるバッテリ駆動アプリケーションに実装した場合のバッテリ消費を最小限に抑えることができます。

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