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次世代メモリ(NGM)市場調査―テクノロジー別(揮発性(HMCおよびHBM)、不揮発性)、ウェーハサイズ別、アプリケーション別、および地域別ー世界的な予測2023-2035年

次世代メモリ(NGM) 市場規模

次世代メモリ(NGM)市場は、2022年に約76.3億米ドルの市場価値から、2035年までに約1,286.1億米ドルに達すると推定され、2023-2035年の予測期間中に26.54%のCAGRで成長すると予想されています。

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次世代メモリ(NGM) 市場分析

この市場の成長は、エンタープライズストレージアプリケーションの増加、およびユニバーサルメモリデバイスの需要に起因する可能性があります。さらに、人工知能(AI)、モノのインターネット(IoT)、ビッグデータなどのテクノロジー向けの高帯域幅、低消費電力、および拡張性の高いメモリデバイスの必要性も市場の成長に貢献しています。また、市場は、より高速で効率的で費用効果の高いメモリソリューションに対する需要の高まりにより、大幅な成長を示しています。さまざまな分野のアプリケーションに効果的に対応できるメモリソリューションの必要性が高まっています。しかし、極端な環境条件下での安定性の欠如、ニッチなアプリケーションでのストレージの問題、および新しいメモリの高コストは、NGM市場の成長を抑制する可能性があります。

次世代メモリ(NGM)市場セグメント

次世代メモリ(NGM)市場は、テクノロジー別(揮発性(HMCおよびHBM)、不揮発性(MRAM、FRAM、RERAM、3D XPoint、NRAM))、ウェーハサイズ別(200 mm、300 mm、および450 mm)、アプリケーション別(家庭用電化製品、エンタープライズストレージ、自動車と輸送、軍事と航空宇宙、産業、通信、エネルギーと電力、ヘルスケア、農業、小売)、および地域別に分割されます。これらのセグメントは、さまざまな要因に基づいてさらにサブセグメント化され、各セグメントおよびサブセグメントの複合年間成長率、評価期間の市場価値およびボリュームなど、市場に関するいくつかの追加情報で構成されます。

不揮発性セグメントは、2023ー2035年の間に最大なCAGRで成長すると予想されます。

テクノロジーに基づいて、市場は揮発性メモリと不揮発性メモリに分割されます。不揮発性メモリセグメントは、2016年にNGM市場で大きなシェアを占めました。ReRAMやSTT-MRAMPCMなどの不揮発性メモリは、DRAMやSRAMなどの揮発性メモリデバイスよりも高速でパフォーマンスが向上します。

エンタープライズストレージセグメントは、2016年にNGM市場でより大きなシェアを占めました。

アプリケーションに基づいて、市場は、家庭用電化製品、エンタープライズストレージ、産業などに分割されます。エンタープライズストレージセグメントは、クラウドストレージのデータストレージ機能とエンタープライズストレージのデータセンターの必要性が高まっているため、2016年に最大の市場シェアを保持しました。

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次世代メモリ(NGM) 市場レポートの洞察

 レポート範囲

 CAGR

 26.54%

 予測年

 2023-2035年

 基準年

 2022年

 予測年の市場価値

 約1,286.1億米ドル

次世代メモリ(NGM)市場の地域概要

次世代メモリ(NGM)市場は地域に基づいてさらに細分化されており、各国の市場成長が評価されます。これらには、北米(米国、カナダ、およびその他の北米)、ヨーロッパ(ドイツ、フランス、イタリア、スペイン、英国、およびその他のヨーロッパ)、アジア太平洋(中国、日本、インド、オーストラリア、シンガポール、およびその他のアジア太平洋)およびその他の地域が含まれます。

北米

  • 米国
  • カナダ

 ヨーロッパ

  • ドイツ
  • フランス
  • イギリス
  • イタリア
  • スペイン
  • オランダ
  • ロシア
  • その他のヨーロッパ

 アジア太平洋地域

  • 中国
  • 日本
  • インド
  • 韓国
  • オーストラリア
  • シンガポール
  • その他のアジア太平洋地域

 ラテンアメリカ

  • ブラジル
  • アルゼンチン
  • メキシコ
  • その他のラテンアメリカ

 中東とアフリカ

  • GCC
  • イスラエル
  • 南アフリカ
  • その他の中東とアフリカ

RoWの市場は、2023ー2035年の間に最大なCAGRで成長すると予想されています。RoWは、南アメリカ、中東、およびアフリカで構成されています。RoWのNGM市場は、この地域でのPCの需要の増加により増加しており、家電デバイスに成長の機会を提供しています。一方、北米の次世代メモリ市場は、予測期間中に支配すると予想されます。この成長は、進歩に対する企業の需要の増加に伴う市場のベンダー数の増加に起因しています。

次世代メモリ(NGM) 調査の場所

北米(米国およびカナダ)、ラテンアメリカ(ブラジル、メキシコ、アルゼンチン、その他のラテンアメリカ)、ヨーロッパ(英国、ドイツ、フランス、イタリア、スペイン、ハンガリー、ベルギー、オランダおよびルクセンブルグ、NORDIC(フィンランド、スウェーデン、ノルウェー) 、デンマーク)、アイルランド、スイス、オーストリア、ポーランド、トルコ、ロシア、その他のヨーロッパ)、ポーランド、トルコ、ロシア、その他のヨーロッパ)、アジア太平洋(中国、インド、日本、韓国、シンガポール、インドネシア、マレーシア) 、オーストラリア、ニュージーランド、その他のアジア太平洋地域)、中東およびアフリカ(イスラエル、GCC(サウジアラビア、UAE、バーレーン、クウェート、カタール、オマーン)、北アフリカ、南アフリカ、その他の中東およびアフリカ)

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競争力ランドスケープ

次世代メモリ(NGM)市場の主要なキープレーヤーには、Samsung(韓国)、Toshiba(日本)、Micron(米国)、Intel(米国)、Western Digital(米国)、SK Hynix(韓国)、Fujitsu(日本)、Everspin(米国)、Adesto(米国)、Microchip (米国)、Avalanche(米国)、Cypress(米国)、IBM(米国)、NXP Semiconductor(オランダ)、Open-silicon(米国)、Rambus(米国)、Spin Transfer Technologies(米国)などがあります。この調査には、次世代メモリ(NGM)市場におけるこれらの主要企業の詳細な競合分析、企業プロファイル、最近の動向、および主要な市場戦略が含まれています。

次世代メモリ(NGM) 主な主要プレーヤー

主要な市場プレーヤーの分析

1
Samsung (South Korea)
2
Toshiba (Japan)
3
Micron (US)
4
Intel (US)
5
Western Digital (US)
6
SK Hynix (South Korea)
7
Fujitsu (Japan)
8
Everspin (US)
9
Adesto (USA)
10
Microchip (USA)
Graphs
Source: SDKI Analytics

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