絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)市場調査レポート、規模とシェア、成長機会、及び傾向洞察分析― タイプ別、アプリケーション別、、及び地域別―世界市場の見通しと予測 2026-2035年

出版日: Dec 2025

Market Research Reports
  • 2020ー2024年
  • 2026-2035年

絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)市場エグゼクティブサマリ

1) 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)市場規模

絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)市場に関する弊社の調査レポートによると、市場は予測期間2026―2035年において複利年間成長率(CAGR)8%で成長すると予想されています。来年には、市場規模は168億米ドルに達すると見込まれています。

しかし、弊社の調査アナリストによると、基準年の市場規模は78億米ドルに達しました。EVの普及加速とスマートグリッド技術の推進が、業界の主要な成長原動力となっています。

insulated gate bipolar transistor (IGBT) survey report

2) 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)市場傾向 - 好調な推移を示す分野

SDKI Analyticsの専門家によると、予測期間中に予測される絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)市場の傾向には、電気自動車、産業オートメーション、再生可能エネルギーなどの分野が含まれます。以下では、予測期間中に絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)市場を牽引すると予想される主要な傾向について、さらに詳しく説明します。

市場セグメント

主要地域

CAGR(2026―2035年)

主な成長要因

電気自動車

アジア太平洋地域

9.2%

EVの普及、バッテリーの革新、政府のインセンティブ

産業オートメーション

ヨーロッパ

8.5%

スマートファクトリー、ロボット統合、エネルギー最適化

再生可能エネルギー

北米

8.9%

太陽光発電の拡大、風力発電網の統合、インバータの需要

鉄道輸送

アジア太平洋地域

8.3%

高速鉄道、電化、インフラ投資

民生用電子機器

ヨーロッパ

8.1%

小型化、スマート民生用電子機器、省エネ設計

ソース: SDKI Analytics 専門家分析

3) 市場定義 – 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)とは何ですか?

絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)は、MOSFETの高効率スイッチングとバイポーラトランジスタの大電流処理能力を組み合わせた半導体装置です。電気自動車、再生可能エネルギーシステム、産業用モーター駆動装置などのパワーエレクトロニクス分野で広く使用されています。IGBTはパワー半導体デバイスに分類され、ディスクリート型とモジュール型に分類されます。ニッチな市場セグメントとしては、鉄道車両牽引、航空宇宙推進システム、高電圧直流送電(HVDC)などが挙げられます。

4) 日本の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)市場規模:

日本の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)市場は、2026―2035年の予測期間中、約10.5%の複利年間成長率(CAGR)で成長すると予想されています。電気自動車、再生可能エネルギーの統合、産業オートメーションへの需要の高まりが、主要な成長原動力となっています。加えて、日本の堅調な自動車産業とカーボンニュートラルへの取り組みも、IGBTの採用拡大に貢献しています。

グリーン成長戦略や政府によるEVインフラへの補助金といった施策は、市場拡大をさらに後押ししています。さらに、スマートグリッド技術や高速鉄道の電化への日本の投資は、IGBTのような高効率電力スイッチング部品の需要を高めています。

  • 日本の現地市場プレーヤーの収益機会:

日本の現地市場プレーヤーにとって、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)市場に関連するさまざまな収益機会は次のとおりです。

収益創出の機会

主要成功指標

主な成長要因

市場洞察

競争の激しさ

自動車の電動化(EV/HEV)

OEMパートナーシップ、デザインウィン、長期供給契約

政府のEVインセンティブ、消費者のEV導入の増加、排出ガス規制

日本の自動車大手(トヨタ、ホンダ)はEV生産を加速させ、IGBT需要を押し上げています。

高い

再生可能エネルギーシステム(太陽光/風力)

効率ベンチマーク、インバータの信頼性、グリッドコンプライアンス

固定価格買い取り制度、脱炭素化目標、スマートグリッドの拡大

日本の太陽光発電容量は2030年までに100GWを超えると予測されており、インバータベースのIGBT需要を押し上げます。

適度

産業オートメーション

製品の信頼性、ライフサイクルコスト、改造互換性

工場の近代化、ロボット工学、エネルギー効率の義務化

日本の老朽化した産業基盤では自動化のアップグレードが進められており、IGBTモジュールの需要が増加しています。

適度

鉄道牽引システム

Mask

民生用電子機器

データセンターと通信

ソース: SDKI Analytics 専門家分析

  • 日本の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)市場の都道府県別内訳:

以下は、日本における絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)市場の都道府県別の内訳の概要です。

CAGR(2026―2035年)

主な成長要因

東京

11.2%

データセンター、EV研究開発拠点、産業オートメーションからの強い需要

愛知

10.9%

自動車製造(Toyota本社)、EVパワートレインの革新

大阪

10.4%

産業用電子機器、ロボット工学、スマートグリッドの導入

神奈川

Mask

福岡

ソース: SDKI Analytics 専門家分析

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絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)市場成長要因

弊社の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)市場分析調査レポートによると、以下の市場傾向と要因が市場成長の中核的な原動力として貢献すると予測されています。

  • 自動車分野の電動化が絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)の世界的な採用を加速:

内燃機関から電気自動車及びハイブリッド車(EV/HEV)への世界的な移行は、自動車業界における極めて重要な変革であり、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)市場にも影響を与えています。IGBTは、インバータモジュールやトラクションドライブにおける主要なスイッチングデバイスとして機能し、世界の自動車バリューチェーン全体における中核部品となっており、車両のパワートレイン、充電システム、パワーエレクトロニクスの再構築に貢献しています。

自動車の電動化の波は、高出力と高効率の半導体デバイスへの需要を牽引しており、 IGBTはEVにおけるモーター駆動変換、バッテリーマネジメント、高電圧スイッチングを可能にします。国際エネルギー機関(IEA)の報告書によると、世界のEV販売台数は2025年に2,000万台に達し、前年比25%増のペースで増加すると予想されており、これはEV業界のさらなる成長余地を示しています。EVの生産台数と販売台数の増加に伴い、IGBTの設置需要も拡大するでしょう。

  • 産業オートメーションとモータードライブの普及:

産業オートメーションの大部分は電気モーターを利用しており、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)はこれらのモーターの速度とトルクを制御する可変周波数ドライブ(VFD)の中核部品があります。産業オートメーションと電気モーターの需要の増加は、世界市場における絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)の需要を直接的に生み出しています。また、産業におけるロボットの導入も、世界市場におけるモータードライブとIGBTの市場を牽引しています。

国際ロボット連盟(IFRO)の報告によると、世界中で約4.2百万台のロボットが稼働しており、その数は昨年から10%増加しています。新興市場における産業化の進展は、モータドライブとIGBTの普及を支える大きな要因となっています。新規導入されたロボットの約70%はアジアの産業に導入されており、この地域における自動化の好調な傾向を示しています。また、ヨーロッパと米国の市場は安定しており、IGBTに対する世界的な需要が高まっていることも示しています。

サンプル納品物ショーケース

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レポートの洞察 - 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)市場の世界シェア

SDKI Analyticsの専門家によると、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)市場の世界シェアに関連するレポートの洞察は以下の通りです。

レポートの洞察

2026―2035年のCAGR

8%

2025年の市場価値

78億米ドル

2035年の市場価値

168億米ドル

過去のデータ共有

過去5年間 2024年まで

将来予測

2035年までの今後10年間

ページ数

200+ページ

ソース: SDKI Analytics 専門家分析

絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)市場セグメンテーション分析

絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)市場の見通しに関連する様々なセグメントにおける需要と機会を説明する調査を実施しました。市場をタイプ別、アプリケーション別に分割されています。

絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)市場は、タイプ別に基づいて、IGBTモジュール、IGBTディスクリート、IGBT-IPM(インテリジェントPM)に分割されています。IGBTモジュールは、2035年には市場シェア58.3%を獲得し、市場をリードするセグメントになると予想されます。IGBTモジュールは、電気自動車、再生可能エネルギーシステム、産業オートメーションなどの高出力アプリケーションにおいて、効率性、拡張性、信頼性に優れ、システムの効率的な運用と熱管理をサポートします。

IGBTモジュールは、高電力密度を実現する統合設計を採用しながら、システムアーキテクチャの簡素化、冷却性能の向上、そしてパフォーマンスの向上を実現します。世界中の産業界が電化とエネルギー効率の向上を進める中、IGBTモジュールはイノベーションと技術革新を推進し、高電圧と高電流の幅広いアプリケーションにおいて信頼性の高い動作、高性能、そして安定した動作を保証するために、必要不可欠なコンポーネントとなります。

さらに、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)市場は、アプリケーション別に基づいて、電気自動車(EV/HEV)、産業用制御機器機器、再生可能エネルギーシステム、民生用電子機器、鉄道輸送に分割されています。EV /HEV分野は、世界市場が電動化交通へと転換する中で、IGBTの主要なアプリケーション分野としての地位を維持し、2035年には推定41.7%の市場シェアを占めると予想されています。高周波スイッチング能力と低導通損失を備えたIGBTは、高電圧モーターの効率的な制御、回生ブレーキ、バッテリーの充電とメンテナンスを可能にします。

小型で拡張性に優れたIGBTは、乗用車から商用車まで、様々な車両設計やアプリケーション設計柔軟性を提供します。自動車メーカーが効率と性能の向上に注力する中、IGBTは優れた電力変換性能、最長の航続距離、そして耐久性を保証することから、電動化の鍵となるでしょう。これらはすべて、絶えず進化する電気自動車市場において、IGBTが基盤部品としての地位を支え続けていることを示しています。

以下は、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)市場に該当するセグメントのリストです。

親セグメント

サブセグメント

タイプ別

  • IGBTモジュール
    • 電気自動車(EV/HEV)
    • 産業用制御機器
    • 再生可能エネルギーシステム
    • 民生用電子機器
    • 鉄道輸送
  • IGBTディスクリート
    • 電気自動車(EV/HEV)
    • 産業用制御機器
    • 再生可能エネルギーシステム
    • 民生用電子機器
  • IGBT-IPM(インテリジェントPM)
    • 電気自動車(EV/HEV)
    • 産業用制御機器
    • 再生可能エネルギーシステム
    • 民生用電子機器
    • 鉄道輸送

アプリケーション別

  • 電気自動車(EV/HEV)
    • IGBTモジュール
    • IGBTディスクリート
    • IGBT-IPM(インテリジェントPM)
  • 産業用制御機器
    • IGBTモジュール
    • IGBTディスクリート
    • IGBT-IPM(インテリジェントPM)
  • 再生可能エネルギーシステム
    • IGBTモジュール
    • IGBTディスクリート
    • IGBT-IPM(インテリジェントPM)
  • 民生用電子機器
    • IGBTモジュール
    • IGBTディスクリート
    • IGBT-IPM(インテリジェントPM)
  • 鉄道輸送
    • IGBTモジュール
    • IGBTディスクリート
    • IGBT-IPM(インテリジェントPM)

ソース: SDKI Analytics 専門家分析

世界の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)市場の調査対象地域:

SDKI Analyticsの専門家は、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)市場に関するこの調査レポートのために、以下の国と地域を調査しました。

地域

北米

  • 米国
  • カナダ

ヨーロッパ

  • ドイツ
  • フランス
  • イギリス
  • イタリア
  • スペイン
  • オランダ
  • ロシア
  • ノルディック
  • その他のヨーロッパ

アジア太平洋地域

  • 中国
  • 日本
  • インド
  • 韓国
  • オーストラリア
  • マレーシア
  • インドネシア
  • シンガポール
  • その他のアジア太平洋地域

ラテンアメリカ

  • ブラジル
  • アルゼンチン
  • メキシコ
  • その他のラテンアメリカ

中東とアフリカ

  • GCC
  • イスラエル
  • 南アフリカ
  • その他の中東とアフリカ

ソース: SDKI Analytics 専門家分析

 

insulated gate bipolar transistor (IGBT) segmentation survey

絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)市場の抑制要因

絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)の世界的な市場シェア拡大を阻む大きな要因の一つは、製造コストの高さと複雑さです。IGBTは高度な製造技術と高純度材料を必要とするため、生産コストが上昇します。このため、コスト重視のアプリケーションや新興市場への導入が制限されます。さらに、高出力環境における熱管理の課題や信頼性への懸念が、性能低下の要因となる可能性があります。高価な冷却システムと設計上の注意点が必要となるため、システム全体のコストが増加し、量産市場への展開における拡張性が低下します。

絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)市場 歴史的調査、将来の機会、成長傾向分析

絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)メーカーの収益機会

絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)メーカーに関連する収益機会の一部を以下に示します。

機会エリア

対象地域

成長の原動力

電気自動車(EV/HEV)

北米、ヨーロッパ、アジア太平洋地域

政府のインセンティブ、排出規制、EV普及率の上昇

再生可能エネルギー(太陽光/風力)

アジア太平洋地域、ヨーロッパ

送電網の近代化、脱炭素化目標、固定価格買い取り制度

産業オートメーション

ヨーロッパ、日本、韓国

スマートファクトリー、ロボット工学、エネルギー効率の義務化

鉄道牽引システム

Mask

民生用電子機器

データセンターと通信

航空宇宙及び防衛

スマートグリッドと電力配電

海洋とオフショアシステム

ソース: SDKI Analytics 専門家分析

絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)の世界シェア拡大の実現可能性モデル

弊社のアナリストは、世界中の業界専門家が信頼し、適用している有望な実現可能性モデルをいくつか提示し、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)市場の世界シェアを分析しました。

実現可能性モデル

地域

市場成熟度

医療システムの構造

経済発展段階

競争環境の密度

適用理由

PESTLE分析

ヨーロッパ

成熟した

普遍的な公的保険

発展した

高い

長期的なIGBT投資に不可欠な政治的及び規制的安定性を評価します

ポーターの5つの力

北米

成熟した

混合(公立・私立)

発展した

高い

EV及び産業分野におけるサプライヤーの力と代替品の脅威を評価

SWOT分析

アジア太平洋地域

新興から成熟へ

混合

発展途上から先進国へ

中程度から高い

IGBTメーカーの内部の強みと外部の脅威を特定

市場魅力度指数

Mask

技術導入ライフサイクル

費用便益分析

競合ベンチマーク

規制影響評価

ソース: SDKI Analytics 専門家分析

市場傾向分析と将来予測:地域市場の見通しの概要

➤北米の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)市場規模:

北米における絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)市場の市場調査と分析の結果、北米は世界のIGBT市場において最も急成長を遂げる地域になると予測されています。この地域の市場は、予測期間を通じて9.8%の複利年間成長率(CAGR)で成長すると予想されています。この市場の成長は、EV(電気自動車)とハイブリッド車の普及拡大に支えられています。

米国やカナダなどの国では、連邦税制優遇措置やインフラ投資に支えられ、電気自動車の導入が急速に増加しており、パワートレインインバータやオンボード充電器用の絶縁ゲートバイポーラトランジスタの需要が加速しています。
さらに、航空宇宙と防衛分野のアプリケーションの拡大も市場の成長を後押ししています。米国の防衛部門では、レーダー、推進システム、航空電子工学システム向けの高信頼性パワーエレクトロニクスに絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)が使用されており、これが地域市場の成長を牽引しています。

  • 北米の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)市場の市場強度分析:

北米の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)市場に関連する国の市場強度分析は次のとおりです。

カテゴリ

米国

カナダ

市場の成長可能性

非常に高い

高い

規制環境の複雑さ

高い

適度

価格体系

プレミアム

競争力

熟練した人材の可用性

Mask

標準及び認証フレームワーク

イノベーションエコシステム

技術統合率

市場参入障壁

投資環境

サプライチェーン統合

競争の激しさ

顧客基盤の高度化

インフラの準備

貿易政策の影響

ソース: SDKI Analytics 専門家分析

➤ヨーロッパの絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)市場規模:

弊社の SDKI 市場調査アナリストは、ヨーロッパの絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ市場が予測期間中に世界市場で持続的な成長を遂げると予想されることを明らかにしました。
市場の成長は、厳格なエネルギー効率規制によって牽引されています。ヨーロッパ連合(EU)は、民生用電子機器及び産業用機器に対して厳格な環境・エネルギー効率規制を課しており、メーカーは熱性能と電気性能を向上させるために、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)ベースのソリューションの採用を迫られています。

さらに、グリーンエネルギーへの移行の加速も、地域市場の成長を支えています。ヨーロッパ連合(EU)が推進する積極的な脱炭素化目標とグリーンディール政策は、太陽光発電、風力発電、スマートグリッドインフラへの投資を促進しており、電力変換及びグリッド統合のための絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)の需要を加速させています。

  • ヨーロッパの絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)市場の市場強度分析:

ヨーロッパの絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)市場に関連する国の市場強度分析は次のとおりです。

カテゴリ

イギリス

ドイツ

フランス

市場の成長可能性

高い

非常に高い

高い

規制環境の複雑さ

適度

高い

適度

価格体系

プレミアム

プレミアム

競争力

熟練した人材の可用性

Mask

標準及び認証フレームワーク

イノベーションエコシステム

技術統合率

市場参入障壁

投資環境

サプライチェーン統合

競争の激しさ

顧客基盤の高度化

インフラの準備

貿易政策の影響

ソース: SDKI Analytics 専門家分析

insulated gate bipolar transistor (IGBT) market growth impact analysis

➤アジア太平洋地域の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)市場規模:

アジア太平洋地域の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)市場は、予測期間を通じて45%を超える圧倒的な市場シェアを獲得し、世界市場をリードする地位を獲得すると予想されています。市場の成長は、産業オートメーション技術の急速な発展に支えられています。

日本、韓国、台湾などの国の製造拠点では、ロボット工学やスマート製造技術の導入が進んでおり、モーター制御や自動化システムにおける高電圧絶縁ゲートバイポーラトランジスタシステムの需要が加速しています。
さらに、市場の成長は、民生用電子機器セクターの拡大によって牽引されています。アジア太平洋諸国における中流階級人口の増加とスマート民生用電子機器の普及により、電源やコンバータアプリケーションにおける小型でエネルギー効率の高い絶縁ゲートバイポーラトランジスタの需要が高まっています。

  • アジア太平洋地域の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)市場の市場強度分析:

アジア太平洋地域の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)市場に関連する国の市場強度分析は次のとおりです。

カテゴリ

日本

中国

インド

マレーシア

韓国

市場の成長可能性

高い

非常に高い

高い

適度

高い

規制環境の複雑さ

適度

高い

適度

低い

適度

価格体系

プレミアム

競争力

コスト重視

競争力

プレミアム

熟練した人材の可用性

Mask

標準及び認証フレームワーク

イノベーションエコシステム

技術統合率

市場参入障壁

投資環境

サプライチェーン統合

競争の激しさ

顧客基盤の高度化

インフラの準備

貿易政策の影響

ソース: SDKI Analytics 専門家分析

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絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)業界概要と競争ランドスケープ

絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)市場のメーカーシェアを支配する世界トップ10の企業は次のとおりです。

会社名

本社所在地国

絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)との関係

Infineon Technologies

ドイツ

IGBTモジュール及びディスクリートIGBTの大手世界のサプライヤー

STMicroelectronics

スイス/フランス

産業用及び自動車用IGBT製品を幅広く取り揃えています

ON Semiconductor

米国

電力アプリケーション向けのIGBTモジュール及びディスクリートIGBTを製造しています

Littelfuse

 

 

 

 

Mask

ABB Semiconductors

Dynex Semiconductor

IXYS Corporation

Alpha & Omega Semiconductor

Hitachi Energy

Semikron Danfoss

ソース: SDKI Analytics 専門家分析及び企業ウェブサイト

絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)の世界及び日本の消費者上位10社は次のとおりです。

主要消費者 消費単位(数量) 製品への支出 – 米ドル価値 調達に割り当てられた収益の割合
Volkswagen Group
Toyota Motor Corporation
XXXX
XXXXX
xxxxxx
xxxxxxxx
xxxxx
xxxxxxxx
xxxxxx
XXXXX

日本の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)市場におけるメーカーシェアでトップ10を占める企業は次のとおりです。

会社名

事業状況

絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)との関係

Mitsubishi Electric

日本原産

産業用及び自動車用IGBTの大手メーカー

Fuji Electric

日本原産

IGBTモジュール及びディスクリートデバイスを供給

Toshiba Electronic Devices

日本原産

IGBTモジュールと個別トランジスタを提供

Renesas Electronics

 

 

 

Mask

Rohm Semiconductor

Panasonic Industrial Devices

Sanken Electric

Fuji Electric Device Technology

SanRex Corporation

Shindengen Electric

ソース: SDKI Analytics 専門家分析及び企業ウェブサイト

絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT) 市場 包括的企業分析フレームワーク

市場内の各競合他社について、次の主要領域が分析されます 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT) 市場:

  • 会社概要
  • リスク分析
  • 事業戦略
  • 最近の動向
  • 主要製品ラインナップ
  • 地域展開
  • 財務実績
  • SWOT分析
  • 主要業績指標

絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)市場最近の開発

世界及び日本における絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)市場に関連する最近の商業的発売及び技術の進歩の一部は次のとおりです。

発売日

会社名

技術進歩の詳細

2025年4月

Infineon Technologies AG

Infineonは、電気自動車向けに、400V/800V/1200Vの車載システムに対応する第3世代EDT3 IGBTベアダイとRC-IGBTチップを発表しました。これらのデバイスは、前世代と比較して総損失を最大20%削減し、最大185℃のジャンクション温度を実現することで、より小型で高密度なパワーモジュールを実現します。

2023年5月

DENSO Corporation

DENSO CorporationとUnited Semiconductor Japan Co., Ltd. 株式会社エヌティティシー(USJC)は、共同開発した絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)の三重県にあるUSJCの300 mmウエハー工場で量産を開始し、EVパワーエレクトロニクス製造における重要なマイルストーンを達成しました。

ソース:各社プレスリリース

目次

目次

よくある質問

世界の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)市場規模は、予測期間中に複利年間成長率(CAGR)8%で成長し、2035年には168億米ドルに達すると予測されています。さらに、弊社の調査レポートによると、2025年の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)市場規模は適度なペースで成長すると予想されています。

2025年、世界の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)市場規模は78億米ドルの収益を獲得しました。

Infineon Technologies、STMicroelectronics、ON Semiconductor、Littelfuse、ABB Semiconductorsなどは、世界の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ (IGBT) 市場で活動している大手企業の一部です。

弊社の調査レポートによると、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)市場で日本国内に展開している大手企業としては、Infineon Technologies、 STMicroelectronics、ON Semiconductor、 Littelfuse、 ABB Semiconductors,などが挙げられます。

弊社の調査レポートによると、北米地域の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ (IGBT)市場は、予測期間を通じて最も高い CAGR で成長すると予想されています。

弊社の調査レポートによると、2025 年にはアジア太平洋地域が絶縁ゲートバイポーラトランジスタ (IGBT)市場で最大のシェアを獲得すると予測されています。
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