GAN RF半導体デバイス市場に関する当社の調査レポートによると、市場は予測期間中に約 6% の CAGR で成長し、2036 年までに約 152憶米ドルの価値に達すると予想されています。さらに、2024年のボツリヌス毒素市場規模は緩やかなペースで成長すると予想されます。しかし、当社の調査アナリストによると、2023 年の GAN RF半導体デバイス 市場の収益は 44憶米ドルになると記録されています。
GaN RF半導体デバイス市場は、世界的に、地政学的な緊張によって引き起こされるサプライチェーンの混乱という重大な課題に直面しています。 貿易摩擦の激化により、必須原材料が不足し、生産能力に影響を与えています。 その結果、世界の GaN RF 半導体市場は、過去 1 年間で生産量が 15% 減少しました。 半導体産業の主要なプレーヤーである日本では、労働力の高齢化によって課題がさらに悪化しています。 熟練労働者の 40% が退職に近づいており、この国は大きなスキルギャップに直面しています。 これにより、日本国内のGaN RF半導体デバイスの生産効率が20%低下し、日本の競争力を維持する能力に懸念が生じています。 世界的なサプライチェーンの混乱と熟練した労働力の減少という二つの課題は、GaN RF半導体デバイス市場の成長とイノベーションに対する脅威となっており、労働力の育成と回復力のあるサプライチェーン管理への戦略的投資の必要性が強調されています。
GaN RF 半導体デバイス市場は、日本の市場プレーヤーにとって世界的な競争力を強化する重要な機会を提供します。 半導体産業の主要プレーヤーである日本は、その技術力と熟練した労働力を活用して、GaN RF半導体デバイスの需要の高まりを活用することができます。
貿易面では、日本のGaN RF半導体デバイスの輸出はここ数年着実に増加しています。 最新のデータによると、この分野における日本の輸出は25%という顕著な伸びを示し、前年度には25億米ドルに達しました。 これは前向きな傾向を示しており、日本企業がGaN RF半導体デバイスの拡大する世界市場に参入できる可能性を強調しています。
日本政府も、GaN RF デバイスを含む半導体産業の戦略的重要性を認識しており、支援政策を実施しています。 半導体技術へのイノベーションと投資を促進するために、研究助成金、税制上の優遇措置、規制の枠組みなどの取り組みが確立されています。 これらの政策は、世界のGaN RF半導体デバイス市場における日本企業の競争力を高めることを目的としています。
いくつかの日本企業がGaN RF半導体デバイスの開発に積極的に貢献しています。 メーカーと研究機関の共同努力により、材料と製造プロセスの画期的な進歩がもたらされました。 日本国内の著名なコンソーシアムやジョイントベンチャーがGaN RF技術の進歩に向けて連携し、業界全体を前進させる協力的なエコシステムを育成しています。
要約すると、GaN RF 半導体デバイス市場は、日本の市場プレーヤーにとって有利な道を提供しています。 好調な輸出実績、政府の支援政策、業界の協力的取り組みにより、日本企業はGaN RF半導体デバイスの世界的な需要を最大限に活用できる有利な立場にあり、半導体分野における日本の継続的なリーダーシップに貢献しています。
GaN RF 半導体デバイス市場の成長を妨げる主な要因の 1 つは、高電圧半導体アプリケーション向けの炭化ケイ素 (SiC) などの代替品の効率の向上によるものです。 炭化ケイ素 (SiC) や窒化ガリウム (GaN) などの高性能ワイドバンドギャップ半導体材料は、さまざまな用途において従来のシリコン (Si) を上回ります。 アプリケーションの特定の要件によって、炭化ケイ素 (SiC) と窒化ガリウム (GaN) のどちらが効率的であるかが決まります。 SiC デバイスは、多くの場合、耐圧能力が向上しているため、高電圧アプリケーションにより適しています。 SiC パワーコンポーネントは高電圧に耐えられるため、グリッドレベルのアプリケーション、高出力インバーター、電力網インフラストラクチャに適しています。
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GAN RF半導体デバイス市場規模とシェアレポートの洞察 |
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CAGR |
6% |
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予測年 |
2024-2036年 |
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基準年 |
2023年 |
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予測年の市場価値 |
約152憶米ドル |
当社は、GaN RF半導体デバイス市場に関連するさまざまなセグメントにおける需要と機会を説明する調査を実施しました。 当社は市場を材料、用途、エンドユーザーごとに分割しました。
GaN RF 半導体デバイスは、材料に基づいて、GaN-オン-SiC、GaN-オン-シリコン、GaN-オン-ダイヤモンド に分類されています。 これらのサブセグメントのうち、GaN-オン-SiC セグメントは市場で重要な地位を占めており、2036 年までに総市場収益の 50% に寄与します。これは、GaN-オン-SiC デバイスが比較して優れた性能と効率を提供するためです。 GaNオンシリコンへ。 GaN-オン-SiC デバイスは、GaN-オン-SiC デバイスよりも優れた性能と効率を提供します。 GaN-オン-SiC テクノロジーは、5G、Wi-Fi、自動車レーダーなどのさまざまなアプリケーションに応用されています。 GaN-オン-SiC デバイスの需要は、ワイヤレス通信市場の成長によって促進されています。 2021 年には、世界中で 94 億の携帯電話接続が存在すると予想されます。
さらに、GaN RF 半導体デバイス市場は、アプリケーションに基づいて、無線インフラストラクチャ、電力貯蔵、衛星通信、PV インバータなどに細分化されています。 これら 5 つのサブセグメントのうち、GaN RF 半導体デバイス市場は、2036 年までに合計市場シェアが約 33% 以上となり、ワイヤレス インフラストラクチャ セグメントが支配することになるです。GaN ベースのデバイスは、さまざまなワイヤレス インフラストラクチャ アプリケーションで使用されているためです。5G基地局やWi-Fiルーターなど。 従来のシリコンベースのデバイスと比較して、GaN は優れたパフォーマンスと効率を実現します。 GaNベースのデバイスの需要は無線通信市場の成長によって促進されています。
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材料 |
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アプリケーション |
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エンドユーザー |
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アジア太平洋地域市場は、市場で最も有利で報酬の高い機会を提供すると予想されています。 アジア太平洋地域は、この地域の製造会社の数が増加しているため、2036 年までに市場シェアの最大 29% 以上を占めます。 中国や韓国などの国々で防衛予算が増加した結果、信頼性の高い通信デバイスの需要が高まり、窒化ガリウムベースのRFコンポーネントの市場が拡大すると予想されています。 2021年の中国の軍事費と国防予算は2934億ドルで、2020年と比べて13.75％増加しました。
日本では、市場の成長は主に、国内のLEDディスプレイデバイス、スマートフォン、ゲーム機などの家電製品の最大手メーカーの存在によって推進されています。 消費者と企業の両方にとって、ソニーはエレクトロニクス、ビデオ、通信、ビデオゲーム機、IT 製品の世界有数のメーカーの 1 つです。
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北米 |
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ヨーロッパ |
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アジア太平洋地域 |
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ラテンアメリカ |
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中東とアフリカ |
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北米地域の市場も、予測期間中に最大 33% の市場シェアを獲得すると予想されます。 この地域の市場の成長は、防衛および航空宇宙産業からの研究開発への投資増加によって推進されています。 さらに、この地域の市場は、公的当局が半導体産業に提供する資金によって牽引されると予想されます。
北米（米国およびカナダ）、ラテンアメリカ（ブラジル、メキシコ、アルゼンチン、その他のラテンアメリカ）、ヨーロッパ（英国、ドイツ、フランス、イタリア、スペイン、ハンガリー、ベルギー、オランダおよびルクセンブルグ、NORDIC（フィンランド、スウェーデン、ノルウェー） 、デンマーク）、アイルランド、スイス、オーストリア、ポーランド、トルコ、ロシア、その他のヨーロッパ）、ポーランド、トルコ、ロシア、その他のヨーロッパ）、アジア太平洋（中国、インド、日本、韓国、シンガポール、インドネシア、マレーシア） 、オーストラリア、ニュージーランド、その他のアジア太平洋地域）、中東およびアフリカ（イスラエル、GCC（サウジアラビア、UAE、バーレーン、クウェート、カタール、オマーン）、北アフリカ、南アフリカ、その他の中東およびアフリカ)
SDKI Inc.の研究者によると、GaN RF半導体デバイス市場は、大企業と中小規模の組織といったさまざまな規模の企業間の市場競争により細分化されています。 市場関係者は、製品や技術の発売、戦略的パートナーシップ、コラボレーション、買収、拡張など、あらゆる機会を利用して市場での競争優位性を獲得しています。
世界のGAN RF半導体デバイス市場の成長に重要な役割を果たす主要な主要企業には、Qorvo Inc、Skyworks Solutions, Inc、 Analog Devices, Inc、 Wolfspeed, Inc、 MACOM Technology Solutions Inc などが含まれます。 さらに、日本のGAN RF半導体デバイス市場のトップ5プレーヤーは、Sumitomo Corporation、TDK Corporation、Mitsubishi Electric Corporation、 Murata Manufacturing Co., Ltd、Toshiba Infrastructure Systems & Solutions Corporation などです。 この調査には、世界のGAN RF半導体デバイス市場分析レポートにおける詳細な競合分析、企業概要、最近の傾向、およびこれらの主要企業の主要な市場戦略が含まれています。
