シリコン上のGAN技術市場調査レポート、規模とシェア、成長機会、及び傾向洞察分析― アプリケーション別、デバイスタイプ別、ウエハサイズ別、エンドユーザー産業別、及び地域別―世界市場の見通しと予測 2025－2035年
出版日: Oct 2025
- 2020ー2024年
- 2025－2035年
- 必要に応じて日本語レポートが入手可能
品質と信頼の証
シリコン上のGAN技術市場エグゼクティブサマリ
1) シリコン上のGAN技術市場規模
シリコン上のGAN技術市場に関する当社の調査レポートによると、市場は2025－2035年の予測期間中に年平均成長率（CAGR）30.5%で成長すると予想されています。2035年には、市場規模は129億米ドルに達すると見込まれています。
しかし、当社の調査アナリストによると、基準年の市場規模は7.1億米ドルでしました。データセンターやAIにおけるシリコンフォトニクスの需要増加、そして異種集積及び共パッケージ型光学技術の進歩が見込まれています。
2) シリコン上のGAN技術の市場傾向 – プラスの軌道を辿るセクター
SDKI Analyticsの専門家によると、予測期間中にシリコン上のGAN技術市場の傾向として予測される分野には、電源・コンバータ、RF・無線インフラ、自動車・EV用電源システムなどが含まれます。予測期間中にシリコン上のGAN技術市場を牽引すると予想される主要な傾向について、以下に詳細をご紹介します:
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市場セグメント |
主要地域 |
CAGR (2025-2035年) |
主要な成長要因 |
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電源及びコンバータ |
アジア太平洋地域 |
17.5% |
急速充電器の需要、サーバー電源ユニットの効率化、エレクトロニクスの小型化、再生可能エネルギーの統合 |
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RF及び無線インフラ |
北米 |
15.8% |
5Gネットワークの展開、衛星通信システム、防衛レーダーのアップグレード、高周波の利点 |
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自動車及びEV用電源システム |
ヨーロッパ |
18.2% |
電気自動車の普及、オンボード充電器（OBC）、DC-DCコンバータ、ライダーシステム、重量と効率への要求 |
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産業用モーター及びドライブ |
アジア太平洋地域 |
16.0% |
工場自動化、ロボット工学、エネルギー効率規制、モーター駆動装置の小型化、運用コストの削減 |
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太陽光発電及びエネルギー貯蔵 |
ヨーロッパ |
17.0% |
太陽光発電用マイクロインバータの需要、グリッドスケールの蓄電システム、より高い変換効率の必要性 |
ソース: SDKI Analytics 専門家分析
3) 市場の定義 –シリコン上のGaN技術とは何ですか?
シリコン上のGAN技術市場は、基本的に、シリコン基板上に窒化ガリウム（GaN）層を指数関数的に成長させた半導体デバイスの開発、製造、及び商業化に取り組んでいます。市場には、エピタキシャルウェーハと呼ばれる基材の製造、個別デバイス及び相互接続回路（IC）の製造、そしてそれらの電力変換及び無線周波数（RF）システムへの使用を目的とした販売が含まれます。
シリコン上のGAN技術関連市場は、未来のパワーエレクトロニクス及びRFアプリケーションを実現する上で中心的な役割を果たしています。市場のソリューションは、確立されたシリコン製造インフラ技術の費用対効果と拡張性を活用しています。
4) 日本のシリコン上のGAN技術市場規模:
成長著しい日本のシリコン上のGAN技術市場の年平均成長率（CAGR）は30.7%と予測されています。日本の国家GX戦略は、エネルギー効率の高い技術への投資を着実に推進しており、パワーエレクトロニクスやデータセンターにおけるGaNの採用に強力な追い風となることを見出そうとしています。
自動車及びロボティクス分野における日本の主導的地位を維持するには、EVパワートレイン、急速充電インフラ、精密モーター駆動においてGaN-on-Siが提供する高い電力密度と優位性が必要です。
- 日本の現地市場プレーヤーにとっての収益機会:
日本の現地市場プレーヤーにとって、シリコン上のGaN技術市場に関連するさまざまな収益機会は次のとおりです:
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収益創出の機会 |
主要成功指標 |
主な成長要因 |
市場インサイト |
競争の激しさ |
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5Gインフラコンポーネント |
高周波性能、低電力損失、熱安定性 |
政府主導の5G展開、通信網の高密度化 |
日本の5G基地局展開は予想を上回る見込み |
高 |
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EVパワーモジュール |
電力変換効率、コンパクトサイズ、高耐圧 |
日本のEV普及目標、EVインフラへの補助金 |
GaNベースのインバーターとオンボード充電器が国内EVで普及 |
中 |
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コンシューマーエレクトロニクス向け急速充電器 |
高速スイッチング、小型化、低発熱 |
スマートフォンやノートパソコン向けの小型・高効率充電器の需要 |
GaN充電器は高級電子機器に浸透すると予想 |
中 |
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産業用電源 |
Mask |
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航空宇宙・防衛向けRFシステム |
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ウェハ製造サービス |
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ソース: SDKI Analytics 専門家分析
- 日本のシリコン上のGAN技術市場の都道府県別内訳:
以下は、日本におけるシリコン上のGAN技術市場の都道府県別の内訳の概要です:
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都道府県 |
CAGR (2025–2035年) (%) |
主な成長要因 |
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東京都 |
13% |
強力な研究開発エコシステム、大手半導体企業の存在、政府支援によるスマートシティ構想 |
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神奈川県 |
12% |
通信・5Gインフラの拡充、横浜テックコリドーへの近接性 |
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大阪府 |
11% |
製造業からの産業オートメーション、ロボティクス、パワーエレクトロニクスの需要 |
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愛知県 |
Mask |
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京都府 |
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ソース: SDKI Analytics 専門家分析
シリコン上のGAN技術市場成長要因
当社のシリコン上のGaN技術市場分析調査レポートによると、以下の市場傾向と要因が市場成長の中核的な原動力として貢献すると予測されています:
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ワイドバンドギャップ半導体の導入を加速させる公共政策と資金提供プログラム：
国家及び超国家プログラムは、GaN技術を含むワイドバンドギャップ（WBG）半導体の導入に明示的に資金を提供することが期待されており、これにより戦略目標が直接的な市場需要と研究開発規模へと転換されることが期待されています。例えば、米国エネルギー省のワイドバンドギャップパワーエレクトロニクス戦略フレームワークは、WBGデバイス（SiC及びGaN）を脱炭素化への道筋に不可欠であると特定し、導入障壁を大幅に低減する非技術的支援を推奨しています。
さらに、ヨーロッパ委員会は、ホライズン/宇宙関連の資金をGaNプロジェクトに投入し、継続的な投資を約束することで、戦略的な調達と助成金パイプラインをGaN開発に結び付けています。これらの公共プログラムは、確実な下流バイヤーを創出し、商業化リスクを負うことで、GaN-on-Siを研究室レベルの好奇心から優先的な産業技術へと転換させることが期待されています。
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シリコンプラットフォーム統合による製造規模の拡大（300mm及び主流のCMOSフロー）：
シリコン上のGaNの商業的変遷は、当社のアナリストチームによって分析されており、ニッチな小型ウェーハプロセスから主流のシリコンファブ及びより大きなウェーハフォーマットへの移行にかかっていることがわかりました。例えば、2025年7月には、既存の量産シリコンファブ内で300mm GaNウェーハ技術が開発され、GaN処理と大型シリコンウェーハの経済性、及び既存のツールチェーンとの互換性が実証されました。これにより、GaN-on-SiCや特注のIII-V族ファブと比較して、デバイスあたりのコストを削減できる可能性があります。
さらに、300mmスケールのシリコン互換装置でGaNを処理することで、限界費用の低下と供給拡大により、GaNはニッチなプレミアム市場から、通信・電力市場の主流へと移行する可能性があります。この製造への移行により、研究への関心がユニットエコノミクスへと転換され、RF、電力変換、データ通信分野における幅広い採用が促進されると期待されます。
サンプル納品物ショーケース
- 調査競合他社と業界リーダー
- 過去のデータに基づく予測
- 会社の収益シェアモデル
- 地域市場分析
- 市場傾向分析
レポートの洞察 - シリコン上のGAN技術市場の世界シェア
SDKI Analytics の専門家によると、シリコン上のGaN技術市場の世界シェアに関連するレポートの洞察を以下に共有します:
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レポートの洞察 |
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CAGR |
30.5% |
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2024年の市場価値 |
7.１億米ドル |
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2035年の市場価値 |
129億米ドル |
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過去のデータ共有対象 |
過去5年間（2023年まで） |
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将来予測対象 |
今後10年間（2035年まで） |
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ページ数 |
200＋ページ |
ソース: SDKI Analytics 専門家分析
シリコン上のGAN技術市場セグメンテーション分析
当社は、シリコン上のGAN技術市場の見通しに関連する様々なセグメントにおける需要と機会を説明する調査を実施しました。市場は、アプリケーション別、デバイスタイプ別、ウエハサイズ別、エンドユーザー産業別にセグメント化されています。
アプリケーション別に基づいて、シリコン上のGAN技術市場はコンシューマーエレクトロニクス、通信・5Gインフラ、自動車、産業用電源、航空宇宙・防衛に分割されています。通信・5Gインフラサブセグメントは、その高効率、高周波、及び熱安定性により、5G基地局及びRFアンプにおけるGaN-on-Siの採用が増加しているため、アプリケーションセグメントで最も好調です。GaN RFコンポーネントは消費電力と放熱を削減し、コンパクトで高密度な5Gネットワークを実現します。
主な強みは、GaN-on-SiCと比較して、高い電子移動度、優れた電力密度、そしてコスト効率です。8インチウェーハへの移行により、生産量はさらに増加しています。このサブセグメントは、2035 年のアプリケーション市場で 38.2% の市場シェアを占めると予想されており、5G の大規模展開と小型ながら高性能 RF 製品の需要の増加によって市場は活性化すると予想されます。
さらに、シリコン上のGaN技術市場はデバイスタイプ別に基づいて、RF フロントエンド モジュール、パワー モジュール、集積回路、ディスクリート パワートランジスタに分割されています。デバイス タイプ カテゴリの最も有力なサブセグメントである RF フロントエンド モジュールは、これらのモジュールが 5G 及び衛星通信を提供するために必要なアンプ、フィルター、スイッチを組み合わせているという事実によって主導されています。 GaN オン シリコンにより、これらのモジュールに優れた電力、高い直線性、帯域幅機能が追加され、信号品質とカバレッジが向上します。
小型で熱安定性があるため、スマートフォンや基地局、IoT機器などに使用できます。コスト効率の高いシリコンベースのスケーラビリティの採用が増加しています。 Semiconductor Insightは、このサブセグメントが2035年までにデバイスタイプの市場シェアの41.5%を占めると予測しています。これは、高速接続の需要増加とOEM投資に支えられるでしょう。
以下は、シリコン上のGAN技術市場に該当するセグメントのリストです:
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親セグメント |
サブセグメント |
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アプリケーション別 |
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デバイスタイプ別 |
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ウエハサイズ別 |
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エンドユーザー産業別 |
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ソース: SDKI Analytics 専門家分析
世界のシリコン上のGAN技術市場の調査対象地域:
SDKI Analyticsの専門家は、シリコン上のGAN技術市場に関するこの調査レポートのために以下の国と地域を調査しました:
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地域 |
国 |
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北米 |
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ヨーロッパ |
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アジア太平洋地域 |
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ラテンアメリカ |
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中東とアフリカ |
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ソース: SDKI Analytics 専門家分析
シリコン上のGAN技術市場の制約要因
シリコン上のGAN技術の世界的な市場シェアを阻害する大きな要因の一つは、既存のシリコンベースのパワー半導体と比較して製造・開発コストが膨大であることです。GaNは優れた性能を発揮する一方で、長口径シリコン基板上でのエピタキシャル成長プロセスは、歩留まりと拡張性の面で課題に直面することが多くなります。このコストプレミアムは、価格に敏感な消費者向けアプリケーションにおける普及をほぼ阻んでいます。これらのアプリケーションでは、メーカーはGaN技術の長期的な効率性向上の可能性を考慮せず、より安価で実績のあるシリコンソリューションからの移行に消極的です。
シリコン上のGAN技術市場 歴史的調査、将来の機会、成長傾向分析
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シリコン上のGAN技術メーカーの収益機会
世界中のシリコン上のGaN技術メーカーに関連する収益機会の一部を以下に示します:
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機会分野 |
対象地域 |
成長要因 |
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5G RFコンポーネント |
北米、東アジア |
積極的な5G展開、高効率RFフロントエンドモジュールの需要 |
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EVパワーエレクトロニクス |
ヨーロッパ、日本、中国 |
電動化義務化、GaNベースのインバーターと車載充電器の採用 |
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急速充電ソリューション |
東南アジア、インド |
スマートフォンの普及、小型で効率的な充電器の需要 |
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衛星通信モジュール |
Mask |
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産業用オートメーションドライブ |
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防衛レーダーシステム |
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スマートグリッドコンバーター |
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コンシューマーエレクトロニクスOEM供給 |
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GaN IC向けファウンドリサービス |
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医療用画像機器 |
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ソース: SDKI Analytics 専門家分析
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シリコン上のGAN技術シェアの世界展開に向けた実現可能性モデル
当社のアナリストは、シリコン上のGaN技術市場の世界シェアを分析するために、世界中の業界の専門家が信頼し、適用している有望な実現可能性モデルをいくつか提示しました:
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実現可能性モデル |
地域 |
市場成熟度 |
医療制度の構造 |
経済発展段階 |
競争環境の密度 |
適用理由 |
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ポーターの5つの力 |
北米 |
成熟 |
混合型（公私混合） |
先進 |
高 |
GaN RF及びパワーモジュール企業間のサプライヤーの力、参入障壁、競合状況を評価します。 |
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PESTLE分析 |
ヨーロッパ連合 |
成熟 |
ユニバーサル パブリック |
先進 |
中 |
GaN-on-Siの採用に影響を与える規制、環境、技術要因を把握します。 |
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SWOTフレームワーク |
東南アジア |
新興 |
混合型 |
発展途上 |
中 |
コンシューマーエレクトロニクス分野における国内プレーヤーの社内能力と外部脅威の評価を支援します。 |
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市場成熟度指数 |
Mask |
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技術導入曲線 |
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費用便益分析 |
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バリューチェーンマッピング |
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シナリオプランニング |
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ベンチマーキングモデル |
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リスク評価マトリックス |
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ソース: SDKI Analytics 専門家分析
市場傾向分析と将来予測：地域市場の見通しの概要
➤北米のシリコン上のGAN技術市場規模：
当社のSDKI市場調査アナリストは、北米地域のシリコン上のGAN技術市場が予測期間中に35％以上の市場シェアを占め、世界のシリコン上のGAN技術市場で主導的な地位を確保すると予測されていることを明らかにしました。 地域市場の成長は、5Gインフラの拡大によって支えられています。 米国やカナダなどの国では5Gネットワークの展開が増加しており、高効率RFコンポーネントの需要が高まっています。 シリコン上のGaNは、優れた電力密度と熱性能を提供することが判明しており、通信基地局に適しています。 さらに、防衛及び航空宇宙部門への投資の増加も、地域市場の成長を促進しています。 米国による高度なレーダー、衛星、電子戦システムへの投資の増加は、高周波及び高出力機能により、GaN技術の採用を増加させています。
- 北米のシリコン上のGAN技術市場の市場強度分析:
北米のシリコン上のGaN技術市場に関連する国の市場強度分析は次のとおりです:
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カテゴリー |
米国 |
カナダ |
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市場成長の可能性 |
強力 |
中程度 |
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規制環境の複雑さ |
複雑 |
標準 |
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価格体系 |
市場主導型 |
ハイブリッド |
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熟練人材の確保 |
Mask |
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標準及び認証フレームワーク |
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イノベーションエコシステム |
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技術統合率 |
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市場参入障壁 |
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投資環境 |
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サプライチェーンの統合 |
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競争の激しさ |
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顧客基盤の高度化 |
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インフラ整備状況 |
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貿易政策の影響 |
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ソース: SDKI Analytics 専門家分析
➤ヨーロッパのシリコン上のGAN技術市場規模：
ヨーロッパのシリコン上のGAN技術市場は、予測期間中、世界のシリコン上のGAN技術市場の中で着実に成長すると見込まれています。市場の成長は、再生可能エネルギーへの移行の増加によって牽引されています。ヨーロッパでは、特に太陽光や風力といった再生可能エネルギーへの積極的な取り組みにより、高効率パワーエレクトロニクスの需要が高まっています。GaNはインバーターやコンバーターにおいて優れた性能を発揮するため、これらの用途に最適です。さらに、市場の成長は電気自動車市場の拡大によっても牽引されています。ヨーロッパにおける電気自動車市場の拡大は、コンパクトなサイズとエネルギー効率の高さから、車載充電器、トラクションインバーター、急速充電ステーションなどでGaN技術の需要を高めています。
- ヨーロッパのシリコン上のGAN技術市場の市場強度分析:
ヨーロッパのシリコン上のGaN技術市場に関連する国の市場強度分析は次のとおりです:
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カテゴリー |
イギリス |
ドイツ |
フランス |
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市場成長の可能性 |
中程度 |
強 |
強 |
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半導体に対する政府の優遇措置 |
中 |
高 |
高 |
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製造能力 |
限定的 |
上級 |
中程度 |
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設計及びIP能力 |
Mask |
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パッケージング及びテストインフラ |
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人材の確保 |
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研究開発連携 |
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サプライチェーンのレジリエンス |
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エネルギー及びサステナビリティの実践 |
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グローバル競争力 |
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規制の複雑さ |
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クラスターの強み |
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ソース: SDKI Analytics 専門家分析
➤アジア太平洋地域のシリコン上のGAN技術市場規模：
アジア太平洋地域のシリコン上のGAN技術市場の市場調査と分析によると、この地域の市場は、予測期間中に13％の主要なCAGRで成長し、世界のシリコン上のGAN技術市場の中で最も急速に成長する地域になると予想されています。市場の成長は、コンシューマーエレクトロニクス部門の拡大によるものです。アジア太平洋地域は、Samsung、Huawei、Xiaomiなどのさまざまな電子機器メーカーの本拠地です。より小型で高速で効率的なデバイスの需要の高まりにより、急速充電器、アダプター、電源におけるGaNの採用が加速しています。さらに、市場の成長は、政府の支援策と研究開発投資の増加によって推進されています。中国や日本などの国では、GaNウェーハの生産と製造を含む半導体の自給自足への投資が増加しています。
- アジア太平洋地域のシリコン上のGAN技術市場の市場強度分析:
アジア太平洋 地域のシリコン上のGaN技術市場に関連する国の市場強度分析は次のとおりです:
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カテゴリー |
日本 |
韓国 |
マレーシア |
中国 |
インド |
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ファブ生産能力（WSPM） |
中 |
高 |
中 |
高 |
低 |
|
テクノロジーノードリーダーシップ |
5nm未満 |
5nm未満 |
成人向け |
7nm未満/成熟 |
成熟 |
|
輸出量 |
高 |
高 |
高 |
高 |
中 |
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自動車向けチップ製造 |
Mask |
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コンシューマーエレクトロニクス需要 |
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AI/データセンター向けチップ生産能力 |
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政府インセンティブ |
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サプライチェーンの深さ |
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研究開発エコシステムの強さ |
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市場参入障壁 |
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ソース: SDKI Analytics 専門家分析
シリコン上のGAN技術業界概要と競争ランドスケープ
シリコン上のGaN技術市場のメーカーシェアを独占する世界トップ 10 社は次のとおりです:
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会社名 |
本社所在地 |
シリコン上のGAN技術との関係 |
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米国 |
高速充電、データセンター、再生可能エネルギーに特化したGaNパワーICのファブレスメーカー |
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ドイツ |
電力変換システム向けにSi基板上にGaN HEMT（高電子移動度トランジスタ）を製造する大手半導体メーカー |
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オランダ |
5Gインフラ及び産業用アプリケーション向けにGaN RFパワーアンプとトランジスタを提供するグローバル半導体企業 |
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Mask |
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IQE plc |
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MACOM Technology Solutions |
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VisIC Technologies Ltd. |
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Efficient Power Conversion (EPC) |
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Wolfspeed, Inc. |
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ソース: SDKI Analytics 専門家分析及び企業ウェブサイト
シリコン上のGAN技術の世界と日本の消費者トップ10は次のとおりです:
| 主要消費者 | 消費単位（数量） | 製品への支出 – 米ドル価値 | 調達に割り当てられた収益の割合 |
|---|---|---|---|
| Murata Manufacturing Co., Ltd. |
|
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| Apple Inc. | |||
| Samsung | |||
| Samsung | |||
| Samsung | |||
| Samsung | |||
| Honeywell | |||
| Samsung | |||
| Samsung | |||
| Samsung | |||
日本シリコン上のGAN技術市場メーカーシェアを独占する上位10社は以下のとおりです:
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会社名 |
事業状況 |
シリコン上のGAN技術との関係 |
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日本発祥 |
産業機器及び民生用途向けGaNパワーデバイスの開発・製造を行っています。 |
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日本発祥 |
産業用及び再生可能エネルギーシステムにおける高周波・高効率アプリケーション向けGaNパワーモジュールを製造しています。 |
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日本発祥 |
データセンター及び産業機器向けの高効率電源アプリケーションに重点を置き、GaN HEMT及びICを開発しています。 |
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Mask |
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Denso Corporation |
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San'an Optoelectronics |
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Texas Instruments |
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STMicroelectronics |
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GaN Systems Inc. |
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ソース: SDKI Analytics 専門家分析及び企業ウェブサイト
シリコン上のGAN技術 市場 包括的企業分析フレームワーク
市場内の各競合他社について、次の主要領域が分析されます シリコン上のGAN技術 市場:
- 会社概要
- リスク分析
- 事業戦略
- 最近の動向
- 主要製品ラインナップ
- 地域展開
- 財務実績
- SWOT分析
- 主要業績指標
シリコン上のGAN技術市場最近の開発
シリコン上のGaN技術市場に関連する最近の商業的展開や技術の進歩には、日本だけでなく世界的に次のようなものがあります:
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月と年 |
関係企業 |
シリコン上のGAN技術市場への接続 |
|---|---|---|
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2025年7月 |
Infineon Technologies AG |
Infineonは、300mm GaNウェハ製造の進捗状況を発表しました。最初の顧客サンプルは2025年後半に出荷される予定です。このマイルストーンは、シリコン上のGaNのコスト効率の高いスケーリングを加速し、量産パワー半導体市場におけるインフィニオンのリーダーシップを強化します。 |
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2025年7月 |
Renesas Electronics Corporation (TransphormのSuperGaNプラットフォーム) |
Renesasは、AIデータセンター、EV充電、再生可能エネルギーシステム向けに、新しい650V Gen IV Plus GaN FETを発表しました。これらのデバイスは、シリコン互換の駆動方式のシンプルさを維持しながら、より高い効率と密度を実現することで、シリコン上のGaNの採用を拡大します。 |
ソース：各社プレスリリース
目次
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よくある質問
- 2020ー2024年
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