窒化ガリウムパワーデバイス市場調査レポート、規模とシェア、成長機会、および傾向洞察分析―デバイスタイプ別、電圧範囲別、アプリケーション別、および地域別―世界市場の見通しと予測 2025―2037年

窒化ガリウムパワーデバイス市場分析

Si MOSFETやIGBTなどの従来のシリコンベースのデバイスは、特に高電圧または高周波アプリケーションにおいて、導通損失とスイッチング損失の増加という課題に直面していました。一方、GaNデバイスはオン抵抗（RDS）が低く、スイッチング速度が速いため、動作中の電力損失を最小限に抑え、システム効率を大幅に向上させます。

• SDKI Analyticsの市場調査レポートによると、GaNパワーデバイスは、高速スイッチングアプリケーションにおいて、シリコンデバイスと比較して、エネルギー効率が最大40%高いことが観察しました。

さらに、シリコンデバイスは効率が低く、熱制約があるため、より大きなヒートシンクとかさばる受動部品が必要となり、結果として電源システムが大型化、重量化します。これに対し、GaNデバイスはより高いスイッチング周波数で動作するため、より小型のインダクタ、コンデンサ、トランスを使用できるようになり、パワーエレクトロニクスのサイズと重量を大幅に削減します。

さらに、日本では、シリコンデバイスは負荷時に大量の熱を発生するため、複雑な冷却ソリューションが必要となり、窒化ガリウムパワーデバイスの需要が高まっています。これは、その広いバンドギャップにより、より低い熱抵抗でより高い接合温度で動作することができ、大型または高価な冷却システムの必要性が軽減されるためです。

• 例えば、GaNデバイスは、同定格のシリコンデバイスと比較して発熱量が50%少なく、日本全体で需要が高まっています。

窒化ガリウムパワーデバイスは、窒化ガリウムを材料とする半導体部品です。

当社の窒化ガリウムパワーデバイス市場分析調査レポートによると、次の市場傾向と要因が市場成長に貢献すると予測されています:

• 電気自動車への採用拡大 – 電気自動車メーカーは、シリコンベースのコンポーネントと比較して優れたスイッチング速度、高効率、コンパクトなサイズのため、車載充電器、インバーター、DC-DC コンバーターに GaN パワーデバイスをますます統合しています。さらに、GaNはシステム損失を低減し、電力密度を高めるため、電気自動車の軽量化とエネルギー効率の向上に大幅に貢献します。

• 当社の市場調査レポートによると、世界の電気自動車販売台数は2024年に15百万台を超えており、GaNパワーエレクトロニクスの需要が拡大すると予想されています。

• 5Gインフラの大幅な拡張 – GaNパワーデバイスは、5G基地局やネットワーク機器に使用される高周波と高効率RFコンポーネントの基盤となります。GaNは電気通信ハードウェアにおける高電力密度と低消費電力を実現するため、5Gの展開に最適です。

窒化ガリウムパワーデバイス市場は日本の市場プレーヤーにどのような利益をもたらしますか?

窒化ガリウム（GaN）パワーデバイス市場は、政府の強力な施策と戦略的な業界投資に支えられており、日本のメーカーにとって大幅な成長が予想されています。

• 日本政府は2000年代から、いくつかの重要な施策を実施してきました。例えば、2024年11月には、国内半導体およびAI産業の強化に向けた650億米ドル超の計画を発表しました。この施策は、半導体サプライチェーンの強化を目的としており、Rapidusなどの企業への支援も含まれており、2027年までに次世代半導体の量産開始を目指しています。
• さらに、経済産業省は、ROHMとToshibaに対し、最大890百万米ドル超の財政支援を発表しました。この資金は、炭化ケイ素（SiC）およびシリコンパワー半導体の生産能力を増強し、輸入への依存度を低減し、国内製造業の育成を促進することを目的としています。

日本政府によるこうした取り組みは、財政的と政策的支援だけでなく、GaNパワーデバイス分野におけるイノベーションと成長を促進する環境整備にも貢献しています。日本企業は、これらの取り組みを活用して世界的な展開を拡大し、進化する半導体業界をリードする上で有利な立場にあります。

市場課題

GaN デバイスには、熱負荷を管理し、高いスイッチング周波数と電圧下でデバイスの信頼性を確保するための最先端のパッケージング技術が必要であり、最終的には設計の複雑さが増大します。そのため、GaNパワーデバイスの需要は減速すると予想されます。

競争力ランドスケープ

窒化ガリウムパワーデバイス業界の概要と競争のランドスケープ

SDKI Analytics の調査者によると、窒化ガリウムパワーデバイス市場は、大企業と中小規模の組織といったさまざまな規模の企業間の市場競争により細分化されています。市場関係者は、製品や技術の発売、戦略的パートナーシップ、コラボレーション、買収、拡張など、あらゆる機会を利用して市場での競争優位性を獲得しています。

世界の窒化ガリウムパワーデバイス市場の成長に重要な役割を果たす主要な主要企業には、Efficient Power Conversion Corporation、Transphorm, Inc、Infineon Technologies AG、NXP Semiconductors、Qorvo, Incなどが含まれます。 さらに、日本の窒化ガリウムパワーデバイス市場のトップ5プレーヤーは、Fujitsu Ltd.、ROHM Co., Ltd.、Sumitomo Electric Industries Ltd.、Renesas Electric Corporation、Toshiba Corporationなどです。 この調査には、世界の窒化ガリウムパワーデバイス市場分析レポートにおける詳細な競合分析、企業概要、最近の動向、およびこれらの主要企業の主要な市場戦略が含まれています。

窒化ガリウムパワーデバイス市場ニュース

• 2025年4月、Infineon Technologies AG は、ショットキーダイオードを内蔵した世界初の産業用窒化ガリウム（GaN）パワートランジスタを発表し、業界に大幅な前進をもたらしました。
• 2024年9月、Infineon は、世界初の300mmパワーGaNテクノロジーを発表し、重要なマイルストーンを達成しました。