NANDフラッシュメモリ市場の収益は、2023 年に約 680億米ドルに達します。さらに、当社のNANDフラッシュメモリ市場に関する洞察によると、市場は予測期間中に約 6% の CAGR で成長し、2035 年までに約 1370億米ドルの価値に達すると予想されています。
NAND フラッシュ メモリは、データを保持するために電力を必要としない不揮発性ストレージ テクノロジです。データをブロックとして保存し、そのために電気回路を使用します。NAND フラッシュ メモリは、大きなファイルやデータを保存するために、MP3 プレーヤー、デジタル カメラ、USB フラッシュ ドライブなどの多くのデバイスで使用されています。
以下は、NANDフラッシュメモリ市場の主要な成長要因の一部です。
NAND フラッシュ メモリは、ビット フリッピングと呼ばれる現象に対して脆弱であることが観察されています。これにより重要なデータが失われる可能性があり、市場の成長を妨げる可能性があります。NAND フラッシュ メモリ テクノロジの信頼性と安定性を確保するには、この問題に対処することが重要です。
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レポート洞察 |
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CAGR |
約6% |
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予測年 |
2024―2036年 |
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基準年 |
2023年 |
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予測年の市場価値 |
約1370億米ドル\ |
当社は、NAND フラッシュ メモリ市場に関連するさまざまなセグメントにおける需要と機会を説明する調査を実施しました。市場をタイプ、構造、アプリケーション別に分類しました。
NAND フラッシュ メモリは、タイプによってさらに SLC、MLC、TLC、QLC に分類しています。このうち、SLC (シングルレベルセル) は市場で支配的な地位を占めており、予測期間中もその優位性は継続し、2036 年までに市場総収益の約 43% に貢献すると予想されます。ストレージ オプションに関して言えば、SLC ドライブはその優れた品質と耐久性により、第一の選択肢として際立っています。SLC NAND メモリ セルを搭載したこのドライブは、障害が発生するまでに約 100,000 回の書き込み操作に耐えることができます。他のタイプの NAND メモリと比較して、SLC ドライブは優れた回復力を誇るため、長期ストレージ ソリューションを求めるユーザーにとって信頼性の高いオプションとなります。このような要因により、予測期間を通じてこのセグメントの成長がプラスの方向に進むと予想されます。
さらに、NANDフラッシュメモリ市場は、アプリケーションに基づいてスマートフォン、SSD、メモリカード、タブレットなどに分割されています。これらのセグメントの中で、スマートフォンは分析期間終了までに最大の市場シェアを保持し、2036 年までに最大 36% を占めると予想されます。適切なストレージ容量を備えたスマートフォンに対する需要が大幅に増加していることが、業界で成長が見られる主な理由です。この急増は、仕事、娯楽、コミュニケーションなどのさまざまな目的でモバイル デバイスへの依存が高まっていることによって引き起こされています。その結果、消費者はデータストレージのニーズに対応できるデバイスを求めており、十分なストレージ容量を備えたスマートフォンの人気につながっています。
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タイプ別 |
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構造別 |
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アプリケーション別 |
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地域的には、アジア太平洋地域が、予測期間中に NAND フラッシュメモリ市場に最も収益性が高く、収益性の高い機会を提供すると予想されます。 さらに、2036年末までに市場規模は約465億米ドルに達すると予想されています。この成長は主に、この地域における政府の積極的な政策に支えられた半導体産業の急速な拡大によって推進されています。例えば、インド政府は、インドに化合物半導体/シリコンフォトニクス(SiPh)/センサー(MEMSを含む)ファブおよび半導体ATMP/OSAT施設を設立するための資本支出の最大30%を財政援助する制度を考案しました。
APAC地域内では、日本はスマートフォンやその他の家電製品などのさまざまなポータブルデバイスの使用の増加により、予測期間中により高い成長率を示すと予想されます。たとえば、国内のスマートフォン ユーザーの総数は 2022 年に約 110百万人に達し、2027 年までに 115百万人に達すると予測されています。
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北米 |
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ヨーロッパ |
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アジア太平洋地域 |
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ラテンアメリカ |
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中東とアフリカ |
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さらに、北米も 2023 年の市場収益の大部分を占めており、近い将来に力強い成長を遂げると予想されています。この地域のデータセンター数の増加は、予測期間を通じて地域市場の成長を促進する主な理由の 1 つです。
北米（米国およびカナダ）、ラテンアメリカ（ブラジル、メキシコ、アルゼンチン、その他のラテンアメリカ）、ヨーロッパ（英国、ドイツ、フランス、イタリア、スペイン、ハンガリー、ベルギー、オランダおよびルクセンブルグ、NORDIC（フィンランド、スウェーデン、ノルウェー） 、デンマーク）、アイルランド、スイス、オーストリア、ポーランド、トルコ、ロシア、その他のヨーロッパ）、ポーランド、トルコ、ロシア、その他のヨーロッパ）、アジア太平洋（中国、インド、日本、韓国、シンガポール、インドネシア、マレーシア） 、オーストラリア、ニュージーランド、その他のアジア太平洋地域）、中東およびアフリカ（イスラエル、GCC（サウジアラビア、UAE、バーレーン、クウェート、カタール、オマーン）、北アフリカ、南アフリカ、その他の中東およびアフリカ)
世界のNANDフラッシュメモリ市場における主な主要企業には、Micron Technologies Inc.、 Intel Corporation、 Samsung Electronics Co. Ltd. 、 Powerchip Technology Corporation、 Infineon Technologies,などが含まれます。さらに、日本市場のトップ 5 のプレイヤーは、KIOXIA Corporation、 TOSHIBA Corporation、 SK Hynix Corporation、 Western Digital Corporation、Fujitsu Ltd.などです。この調査には、世界のNANDフラッシュメモリ市場におけるこれらの主要企業の詳細な競合分析、企業プロファイル、最近の動向、および主要な市場戦略が含まれています。
