調査―タイプ別 (シングルレベルセル、マルチレベルセル、トリプルレベルセル)、アプリケーション別、エンドユーザー別、および地域別―世界予測2023―2035 年
3Dフラッシュメモリ市場の収益は、2022 年に約 260億米ドルに達します。さらに、当社の3Dフラッシュメモリ市場に関する洞察によると、市場は予測期間中に約 4.1% の CAGR で成長し、2035 年までに約 715億米ドルの価値に達すると予想されています。
3D フラッシュ メモリは、メモリ セルが垂直方向に多数の層に積層された不揮発性フラッシュ メモリの一種です。メモリセルが透明な二次元マトリックスで構成される従来の 2D NAND またはプレーナ NAND とは対照的に、3D フラッシュ メモリは異なる方法で設計および製造されます
以下は、3Dフラッシュメモリ市場の主要な成長要因の一部です。
高い製造コストと製造時に必要とされる精度は、3D フラッシュ メモリ市場の主な障害の 1 つです。製造コストの上昇は、3D メモリ チップの作成に必要な複雑な製造プロセスと最先端の材料の結果です。3D メモリ内のメモリ セルの積層数が高いことにより、その寿命と信頼性についても疑問が生じます。
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レポート洞察 |
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CAGR |
約4.1% |
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予測年 |
2023―2035年 |
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基準年 |
2022年 |
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予測年の市場価値 |
約715億米ドル |
当社は、3Dフラッシュメモリ市場に関連するさまざまなセグメントにおける需要と機会を説明する調査を実施しました。当社はタイプ、アプリケーション、エンドユーザーごとに市場を分割しました。
3D フラッシュ メモリ市場はタイプ別に、シングルレベルセル、マルチレベルセル、トリプルレベルセルに分類しています。これらのサブセグメントのうち、マルチレベルセルセグメントは市場で重要な地位を占めており、2035 年までに市場総収益の約 55% に貢献します。
マルチレベル セルには、トリプル レベル セルに比べて多くの利点があります。 マルチレベル セルの信頼性と耐久性は、主に 3D フラッシュ メモリ市場におけるこのセグメントの拡大に貢献しています。さらに、このマルチレベルセルは、従来の 32 層セルに比べて生産性が約 45% 高く、これもこのセグメントの成長をさらに促進すると予想されます。
さらに、3D フラッシュ メモリ市場はアプリケーションに基づいて、カメラ、ラップトップと PC、スマートフォンとタブレットなどに細分化されています。これら 4 つのサブセグメントのうち、3D フラッシュ メモリ市場はスマートフォンとタブレットのセグメントによって支配され、2035 年までに合計市場シェアは約 40% 以上になると予想されます。
世界中、特に中国、インド、米国などの国々でのスマートフォンの需要の増加が市場の成長の原因となっています。さらに、3D フラッシュ メモリ技術によって促進されるモバイル デバイスのストレージ容量の拡大により、スマートフォンにおけるフラッシュ メモリの需要も促進される見込みです。
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タイプ別 |
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アプリケーション別
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エンドユーザー別 |
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アジア太平洋地域の市場は、今後数年間で最も収益性が高く、報酬が得られる機会を提供すると予想されています。アジア太平洋地域は、2035 年までに市場シェアの最大 33% 以上を占めます。この地域における市場拡大の主な原因は、成長するスマートフォン市場です。相当な消費者基盤を持つスマートフォン製造事業の主要企業には、日本、中国、韓国、台湾などがあります。スマートフォンやその他のモバイル機器の需要が高まるにつれて、より大きな記憶容量が必要となるため、3D メモリの需要も増加すると考えられます。当社のアナリストによれば、アジア太平洋地域でモバイル普及率が上昇する中、市場に参入しようとしているスマートフォン企業にとって将来は有望です。2022 年には、日本とマカオがスマートフォン市場で 2 位のシェアを獲得しました。
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北米 |
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ヨーロッパ |
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アジア太平洋地域 |
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ラテンアメリカ |
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中東とアフリカ |
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北米地域の市場も、予測期間中に最大 27% の市場シェアを獲得すると予想されます。この地域では、カナダと米国全土でカメラ、スマート テレビ、ラップトップ、タブレットなどの家庭用電子機器の売上が増加しており、その結果、メモリ ソリューションの需要が高まっています。2022 年 8 月までに、カナダの家電製品業界から生み出される収益は 197 億米ドル相当と推定されています。
北米（米国およびカナダ）、ラテンアメリカ（ブラジル、メキシコ、アルゼンチン、その他のラテンアメリカ）、ヨーロッパ（英国、ドイツ、フランス、イタリア、スペイン、ハンガリー、ベルギー、オランダおよびルクセンブルグ、NORDIC（フィンランド、スウェーデン、ノルウェー） 、デンマーク）、アイルランド、スイス、オーストリア、ポーランド、トルコ、ロシア、その他のヨーロッパ）、ポーランド、トルコ、ロシア、その他のヨーロッパ）、アジア太平洋（中国、インド、日本、韓国、シンガポール、インドネシア、マレーシア） 、オーストラリア、ニュージーランド、その他のアジア太平洋地域）、中東およびアフリカ（イスラエル、GCC（サウジアラビア、UAE、バーレーン、クウェート、カタール、オマーン）、北アフリカ、南アフリカ、その他の中東およびアフリカ)
世界の3Dフラッシュメモリ市場における主な主要企業には、VIA Technologies, Inc.、 Infineon Technologies AG、SK Hynix Co., Ltd.、 Micron Technology, Inc.およびIntel Corporation.などが含まれます。さらに、日本市場のトップ 5 のプレイヤーは、Toshiba Corporation、 Apple Inc.、 Kioxia Corporation、 Yangtze Memory Technology Co., Ltd.、および Samsung Electronics Co. Ltd,などです。この調査には、世界の3Dフラッシュメモリ市場におけるこれらの主要企業の詳細な競合分析、企業プロファイル、最近の動向、および主要な市場戦略が含まれています。
