3Dフラッシュメモリ市場調査―タイプ別 (シングルレベルセル、マルチレベルセル、トリプルレベルセル)、アプリケーション別、エンドユーザー別、および地域別―世界予測2025-2037年

3Dフラッシュメモリ市場分析

市場の定義

3D フラッシュ メモリは、メモリ セルが垂直方向に多数の層に積層された不揮発性フラッシュ メモリの一種です。メモリセルが透明な二次元マトリックスで構成される従来の 2D NAND またはプレーナ NAND とは対照的に、3D フラッシュ メモリは異なる方法で設計および製造されます

3Dフラッシュメモリ市場の成長要因

以下は、3Dフラッシュメモリ市場の主要な成長要因の一部です。

• データセンターの需要の増加:企業が重要なサービス プログラムとデータを保管する場所は、データ センターとして知られています。データ センターのアーキテクチャは、共有データとアプリケーションの配信を可能にするコンピューティング リソースとストレージ リソースのネットワーク上に構築されます。データの保管にはデータセンターが必要であり、データセンターではさまざまな形式のデータを保管するためのストレージデバイスとして 3D フラッシュメモリが使用されます。世界的にデータセンターの数が増加するにつれて、3Dフラッシュメモリの需要も増加すると予想されており、市場の成長に貢献します。当社の分析によると、現在、世界中に合計 7,500 を超えるデータセンターがあります。さらに、2025 年までにクラウド IT インフラストラクチャへの支出は 1,300 億米ドルを超えると予想されます。
• 航空宇宙産業からの 3D フラッシュ メモリの需要の増大: 航空宇宙産業では、電力がないときでもデータを保存できる 3D フラッシュ メモリに対するニーズが高まっており、市場拡大の大きな推進力となっています。衛星や宇宙船も、テレメトリによる情報の送信や研究目的の測定など、重要なデータを保存するために 3D フラッシュ メモリを使用することがよくあります。特にトリプルレベル セル (TLC) メモリは、デジタル信号処理を強化し、データ バッファリングを防止するために強化されたストレージ容量を提供します。

最新の開発

• 2021 年 7 月、Micron Technology, Inc. は、最初の 176 層 NAND ユニバーサル フラッシュ ストレージ UFS 3.1 モバイル ソリューションの出荷を開始したと発表しました。
• 2023 年 3 月、KioxiaとWestern Digital は本日、イノベーションへの取り組みを実証する形で、最新の 3D フラッシュ メモリ テクノロジーの特徴を紹介しました。

市場課題

高い製造コストと製造時に必要とされる精度は、3D フラッシュ メモリ市場の主な障害の 1 つです。製造コストの上昇は、3D メモリ チップの作成に必要な複雑な製造プロセスと最先端の材料の結果です。3D メモリ内のメモリ セルの積層数が高いことにより、その寿命と信頼性についても疑問が生じます。

競争力ランドスケープ

世界の3Dフラッシュメモリ市場における主な主要企業には、VIA Technologies, Inc.、 Infineon Technologies AG、SK Hynix Co., Ltd.、 Micron Technology, Inc.およびIntel Corporation.などが含まれます。さらに、日本市場のトップ 5 のプレイヤーは、Toshiba Corporation、 Apple Inc.、 Kioxia Corporation、 Yangtze Memory Technology Co., Ltd.、および Samsung Electronics Co. Ltd,などです。この調査には、世界の3Dフラッシュメモリ市場におけるこれらの主要企業の詳細な競合分析、企業プロファイル、最近の動向、および主要な市場戦略が含まれています。